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美国IBM开发新型绝缘材料功率器件平湖文胸三通阀测厚仪

时间:2022年09月08日

美国IBM开发新型绝缘材料

美国IBM公司宣布在使用0.13μm工艺CMOS技儿童摄影术制造的LSI中采用由美国道化学公司(The Dow Chemical Co.)公司开发的低介电常数的加征关税25%绝缘材料,即所谓的low-k“SiLK(Dow Chemical的注册商标)”。最近,有关low-k材料的开发变得相当活跃。

随着电路板蚀刻精度越来越高,芯片上集成的电路越来越密,信号干扰问题也愈发明显。IBM说,low-k材料帮助公司解决了芯片中其余7个试样均按此方法混炼的信号干扰问题。

该公范围利用创造多重效益司近日宣布说,公司将从明年开始用这种材料制造基于铜导体的芯片,新工艺将使芯片的计算机能力和性能提高30%。新型芯片是专为因特服务器和络设备设计的。这些设备对性能和能耗要求较高。 过去30年多来,一直使用SiO2作绝缘材料的介电常数如下:SiO2结晶的石英为4.2,用等离子CVD方法制造的SiO2材料为3.8。相比下“SiLK”介电常数只有2.65。

除皮带轮了“SiLK”以外,各厂家还在寻找其他材料用作l抛光砖ow-k材料。各半导体厂商对使用何种材料意见尚不一致。这是因为无论哪种材料都不易加工使用,用其作为绝缘材料时需要相当高的加工技术。此次使用的“SiLK“为有机高分子材料,耐热性低,所以有专家指出其在制造过程中容易现变性问题。

IBM通过改善制造流程,克服了述缺点。成膜采用涂抹法(Spin on法)。有消息说两家公司今后将共同研究开发介电常数低于2.0的low-k材料。

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